| 主权项 |
1.一种聚矽膜之形成方法,包含:一形成聚矽膜之步骤,其包含一边对基板上形成之岛状或条带状之非晶形矽膜进行连续波长之雷射照射,一边扫描雷射照射区域,其中内接该非晶形膜之矩形的宽度为30m或以下,且形成符合下述条件中任一者的一形状:(1)图案之顶端形状为凸型,(2)顶端形状为凹型且由直线构成,以及在顶端侧具有三个角部,且在该顶端形状之二侧的角部之角度皆设定至45度或以上,(3)顶端形状为凹型且由曲线构成,(4)顶端部之宽度为25m或以下。2.如申请专利范围第1项之聚矽膜之形成方法,其中于形成该聚矽膜后,进一步包含蚀刻该聚矽膜成预定形状的步骤。3.如申请专利范围第1项之聚矽膜之形成方法,其中于形成该聚矽膜后,将该非晶形矽膜之后端形状形成凸型。4.一种聚矽膜之形成方法,包含:一形成聚矽膜之步骤,其包含一边对基板上形成之岛状或条带状之非晶形矽膜进行连续波长之雷射照射,一边扫描雷射照射区域,内接该非晶形矽膜之矩形的宽度系超过30m,且形成符合下述条件中任一者之一形状:(1)图案之顶端形状为凸型且由直线构成,(2)图案之顶端形状为凸形且顶端部之曲率半径为100m或以下,(3)顶端形状为凹型且由直线构成,以及在顶端侧具有三个角部,且在该顶端形状之二侧的角部之角度皆设定至45度或以上,(4)顶端形状为凹型且由曲线构成,(5)顶端部之宽度为25m或以下。5.如申请专利范围第4项之聚矽膜之形成方法,其中于形成该聚矽膜后,进一步包含蚀刻该聚矽膜成预定形状的步骤。6.如申请专利范围第4项之聚矽膜之形成方法,其中于形成该聚矽膜后,将该非晶形矽膜之后端形状形成凸型。图式简单说明:第1图(A1至D1)为显示非晶形矽膜之图案形状的平面图(编号1);第2图(E1至H1)为显示非晶形矽膜之图案形状的平面图(编号2);第3图(I1至L1)为显示非晶形矽膜之图案形状的平面图(编号3);第4图(M1至P1)为显示非晶形矽膜之图案形状的平面图(编号4);第5图(Q1至V1)为显示非晶形矽膜之图案形状的平面图(编号5);第6图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号1);第7图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号2);第8图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号3);第9图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号4);第10图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号5);第11图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号6);第12图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号7);第13图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号8);第14图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号9);第15图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号10);第16图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号11);第17图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号12);第18图为显示非晶形矽膜之顶端部形状及尺寸的图(编号13);第19图为显示每一图案形状之剥离发生数目的图;第20图为经CW雷射照射后(蚀刻前)之聚矽膜的显微照片图;第21图为相同之聚矽膜在蚀刻后的显微照片图;第22图为显示使图案之后端部形成凸型之形状的实施例的图;第23图为显示使图案之后端部形成凸型之形状的另一实施例的图;第24(a)至24(c)图为本发明适用于TFT之制造方法的一实施例的图(编号1);第25(a)至25(c)图为本发明适用于TFT之制造方法的一实施例的图(编号2);第26(a)至26(c)图为本发明适用于TFT之制造方法的一实施例的图(编号3);第27(a)至27(b)图分别显示在制造TFT时,非晶形矽膜图案之实施例的图(编号4);以及第28图为显示聚矽膜形状之一实施例的平面图。 |
