一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法

摘要

一种能提高在多晶硅蚀刻机(Polysilicon Etcher)中介电材料对硅的蚀刻选择比(Selectivity)的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法为一种干式蚀刻(Dry Etching)法，是由调整多晶硅等离子体蚀刻机的气体配方，即使得蚀刻反应室内的反应气体为四氟化碳(Carbon Tetrafluoride；CF₄)/氟代甲烷(CH_xF_y；x＝2，y＝2或x＝1，y＝3)/氧气(Oxygen；O₂)，不但可在多晶硅等离子体蚀刻机中蚀刻介电材料层及多晶硅层，且可大幅提高介电材料对硅的蚀刻选择比，并且可获得笔直的蚀刻外形，和稳定的反应室环境。

主权项

1.一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法，至少包括：提供一晶片，且该晶片上设有一介电材料层与一硅材料层；提供多个加速电子；提供一反应气体，该反应气体至少包括四氟化碳、氟代甲烷、氧气，且该反应气体与该加速电子碰撞，而生成多个离子、多个原子团、以及多个原子；以及以该离子、该原子团、以及该原子蚀刻该介电材料层与该硅材料层。