| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具备有:具有第1开口部之第1层间绝缘膜;至少沿着前述第1开口部的内侧面而形成,具有阻止氢扩散之功能的第1阻障膜;以及隔着前述第1阻障膜而埋入前述第1开口部内之第1导电物。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,前述第1阻障膜含有:包含从由Ir、Pt、Ru、Re、Ni、Co及Mo所组成之群组中选出的至少一个之金属;矽;及氮。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,前述第1阻障膜含有:IrSiN膜及PtSiN膜之任一个。4.如申请专利范围第1至第3项中任一项之半导体装置,其中,前述第1导电物包含钨插塞。5.如申请专利范围第1至第3项中任一项之半导体装置,其中,尚具备包含氧化物系电介质膜之电容器元件,且前述第1阻障膜及前述第1导电物在前述包含氧化物系电介质膜之电容器元件形成后形成。6.如申请专利范围第1至第3项中任一项之半导体装置,其中,尚具备有:形成于前述第1导电物上之第1金属配线层;形成于前述第1金属配线层上,具有到达前述第1金属配线层之第2开口部之第2层间绝缘膜;至少沿着前述第2开口部的内侧面而形成,具有阻止氢扩散之功能的第2阻障膜;隔着前述第2阻障膜而埋入前述第2开口部内之第2导电物;以及形成于前述第2导电物上之第2金属配线层。7.如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,前述第2阻障膜含有:包含从由Ir、Pt、Ru、Re、Ni、Co及Mo所组成之群组中选出的至少一个之金属;矽;及氮。8.一种半导体装置之制造方法,系具备有:形成包含氧化物系电介质膜之电容器元件之步骤;在形成前述电容器元件后,形成具有第1开口部之第1层间绝缘膜之步骤;以覆盖前述第1开口部的内面侧及前述第1层间绝缘膜的上面的方式,形成具有阻止氢扩散功能之第1阻障膜之步骤;以隔着前述第1阻障膜而埋入前述第1开口部并延伸至前述第1层间绝缘膜上的前述第1阻障膜上的方式形成第1导电物之步骤;以及藉由去除位于前述第1层间绝缘膜上之前述第1导电物及前述第1阻障膜,仅在前述第1开口部内残留前述第1导电物之步骤。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,前述第1阻障膜含有:包含从由Ir、Pt、Ru、Re、Ni、Co及Mo所组成之群组中选出的至少一个之金属;矽;及氮。图式简单说明:第1图系显示本发明之第1实施形态之包含强电介质电容器之半导体装置之剖面图。第2图系用以说明第1图所示之第1实施形态的半导体装置的制作过程之剖面图。第3图系用以说明第1图所示之第1实施形态的半导体装置的制作过程之剖面图。第4图系用以说明第1图所示之第1实施形态的半导体装置的制作过程之剖面图。第5图系用以说明第1图所示之第1实施形态的半导体装置的制作过程之剖面图。第6图系用以说明第1图所示之第1实施形态的半导体装置的制作过程之剖面图。第7图系用以说明第1图所示之第1实施形态的半导体装置的制作过程之剖面图。第8图系用以说明第1图所示之第1实施形态的变形例之半导体装置的剖面图。第9图系显示本发明之第2实施形态之包含强电介质记忆体之半导体装置之剖面图。第10图系显示包含传统之强电介质记忆体之半导体装置的剖面图。 |
