| 主权项 |
1.一种主动矩阵型基板之驱动方法,包括绝缘基板上延着第一个方向的多条信号线、延着第二个方向并与衆多信号线交叉的衆多扫描线、与衆多信号线及衆多扫描线呈交叉状的复数个像素电极,以及复数个共电极用以形成共电极与对应的像素电极之间的存储电容器,与共电极及对应的像素电极之间的半导体层,本方法包含以下步骤:供应每一共电极一信号的步骤,使得形成于半导体层之空乏层具有最大的宽度。2.如申请专利范围第1项的方法,其中用以供应信号至共电极的共信号线为第二方向,而该半导体层则存在于共信号线与信号线的交叉处。3.一种根据申请专利范围第1项之驱动主动式矩阵型基板的方法,并满足下列条件式:Vc≦-Vpmax-Vdmax (1)其中Vc为加至共电极的信号电压;-Vpmax为加至像素电极的最大负电压;而Vdmax则为半导体层的空乏层为最大宽度时,施加至半导体层的电压。4.一种液晶显示装置,包括:一主动矩阵型基板;一包括反电极的反基板;以及被主动矩阵型基板与反基板夹在中间的液晶层,主动矩阵型基板包括:绝缘基板上延着第一个方向的衆多信号线;延着第二个方向并与衆多信号线交叉的衆多扫描线;位于衆多信号线及多条扫描线交叉处的衆多像素电极;以及复数个共电极用以形成共电极与对应的像素电极之间的储存电容,与共电极及对应的像素电极之间的半导体层,在此一信号供应至共电极以使得形成于半导体层之空乏层有最大的宽度。图式简单说明:图1是主动矩阵型基板的平面图,且应用根据本发明的范例之驱动方式。图2A为图1之主动矩阵型基板沿着A-A及B-B两条线的截面图。图2B为图1之主动矩阵型基板沿着C-C及D-D两条线的截面图。图3为约略显示出图1之主动矩阵型基板制程的流程图。图4的截面图1为主动矩阵型基板之储存电容结构的MIS结构。图5显示驱动图1之主动矩阵型基板所使用的信号。图6为包含图1之主动矩阵型基板的液晶显示装置的部分截面图。图7为主动矩阵型基板结构的概要图。图8为传统主动矩阵型基板的截面图。图9大略显示出图8之主动矩阵型基板制程的流程图。图10显示图8之主动矩阵型基板所使用的信号。 |
