改善开口之光阻残渣的方法

摘要

本发明揭露一种改善开口之光阻残渣(Scum)的方法，其系在介电层中开口形成后，涂布I-线(I-line)光阻覆盖在介电层以及开口，并填满开口。对此I-线光阻进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)步骤，而将介电层上的I-线光阻去除，并留下开口中的I-线光阻。由于，I-线光阻之组成为高分子，可有效阻绝胺类(Amine)等硷基扩散。此外，由于I-线光阻填满开口，而可将开口之侧壁保护住，防止后续所涂布之光阻附着于开口侧壁上，而可避免胺类硷基与开口之光阻作用形成光阻残渣污染开口。因此，可有效改善开口之光阻残渣的污染，而达到提高制程的可靠度与良率的目的。

主权项

1.一种改善开口之光阻残渣(Scum)的方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上已形成有一介电层,且该介电层中至少包括一第一开口;形成一第一光阻层覆盖在该介电层以及该第一开口上,其中该第一光阻层并填满该第一开口;去除该第一开口外之该第一光阻层,并暴露出该介电层;形成一第二光阻层覆盖在该介电层以及该第一开口中之该第一光阻层上;移除部分之该第二光阻层以暴露出该第一开口以及部分之该介电层;以及形成一第二开口于该介电层中,其中该第二开口位于该第一开口上。2.如申请专利范围第1项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该介电层系由一低介电常数材料所组成。3.如申请专利范围第1项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中在形成该介电层之步骤前,更至少包括形成一蚀刻终止层(Etching Stop Layer)。4.如申请专利范围第3项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该蚀刻终止层之材料为碳化矽(SiC)。5.如申请专利范围第1项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中更至少包括形成一抗反射覆盖层(ARC)覆盖在该介电层上。6.如申请专利范围第5项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该抗反射覆盖层之材料为氮氧化矽(SiON)。7.如申请专利范围第1项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该第一光阻层系由一I-线(I-line)光阻所组成。8.如申请专利范围第1项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中形成该第二开口之步骤系利用一蚀刻方式,并以该第二光阻层之另一部分为蚀刻罩幕。9.一种改善开口之光阻残渣的方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上已形成有一介电层,且该介电层中至少包括一第一开口;形成一第一光阻层填满该第一开口,其中该第一光阻层系由一I-线光阻所组成;形成一第二光阻层覆盖在部分之该介电层上,且该第二光阻层位于该第一开口以外之区域上;以及形成一第二开口于该介电层中,其中该第二开口位于该第一开口上。10.如申请专利范围第9项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该介电层系由一低介电常数材料所组成。11.如申请专利范围第9项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中于形成该介电层之步骤前,更至少包括形成一蚀刻终止层覆盖在该基材上。12.如申请专利范围第11项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该蚀刻终止层之材料为碳化矽。13.如申请专利范围第9项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中形成该第一光阻层填满该第一开口之步骤更至少包括:形成该第一光阻层覆盖在该介电层与该第一开口上,并使该第一光阻层填满该第一开口;以及进行一化学机械研磨步骤,藉以将该第一开口以外之该第一光阻层移除,并暴露出该介电层。14.如申请专利范围第13项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中进行该化学机械研磨步骤系利用一氧化物化学机械研磨技术。15.如申请专利范围第9项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中形成该第二开口之步骤系利用一蚀刻法,并以该第二光阻层为一蚀刻罩幕。16.如申请专利范围第9项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该第一开口为一介层窗(Via)。17.如申请专利范围第9项所述之改善开口之光阻残渣的方法,其中该第二开口为一沟渠(Trench)。图式简单说明:第1图为绘示习知半导体结构之开口的剖面图;第2图为绘示另一种习知半导体结构之开口的剖面图;以及第3图至第7图为绘示本发明之一较佳实施例之开口制程的剖面流程图。