| 主权项 |
1.一种快闪记忆体装置之制作方法,包含下列步骤:在一已具有一单元区与一周边电路区之半导体基材上产生一装置隔离薄膜;在该半导体基材之整个表面上依序产生一通道氧化物薄膜及一第一多晶矽层;移除单元区之该第一多晶矽层及该通道氧化物薄膜,以外露出该装置隔离薄膜;在包含该第一多晶矽层之整个表面上产生一电介质薄膜;在包含该电介质薄膜之整个表面上产生一非晶矽层;对该非晶矽层进行蚀刻至该电介质薄膜未裸露之程度;移除周边电路区之该非晶矽层,该电介质薄膜与该第一多晶矽层;于周边电路区产生一闸极氧化物薄膜;在包含该闸极氧化物薄膜之整个结构上产生一第二多晶矽层;移除单元区之该第二多晶矽层,以外露出单元区之该非晶矽层及边周电路区之该第二多晶矽层;在包含外露非晶矽层与该外露第二多晶矽层之整个结构上产生一顶部多晶矽层;以及在该顶部多晶矽层上产生一矽化金属层。2.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该第一多晶矽层之形成厚度为60060。3.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该电介质薄膜具一ONO结构,其下方氧化物薄膜之沈积厚度为404,氮化物薄膜之沈积厚度为606,上方氧化物薄膜之沈积厚度为404。4.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该非晶矽层以非掺杂矽产生。5.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该非晶矽层产生之厚度为20001000。6.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该非晶矽层以回蚀程序蚀刻至剩下约700之厚度。7.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该第二多晶矽层之形成厚度为70070,先以掺杂多晶矽沈积约600之厚度,再以非掺杂多晶矽于其上沈积约100之厚度。8.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该顶部多晶矽层之形成厚度为50050,先以掺杂多晶矽沈积约400之厚度,再以非掺杂多晶矽于其上沈积约100之厚度。9.如申请专利范围第1项之快闪记忆体装置之制作方法,其中该矽化金属层以例如矽化钨物质沈积1500150之厚度所产生。图式简单说明:图1A-1D为传统快闪记忆体装置之横切面图,用以描述此装置之制作方法;以及图2A-2F为依据本发明之具体实施例之快闪记忆体横切面图,用以说明此装置之制作方法。 |
