| 发明名称 | 激光放大器,包含该激光放大器的光学系统和构造该激光放大器的方法 | ||
| 摘要 | 激光放大器，包含该激光放大器的光学系统和为了在大的波长范围内获得与偏振无关的放大而构造该激光放大器的方法。光放大器包括一个形成在半导体衬底(6)上的有源区。有源层是通过交替地生长量子阱层(13、14、15、16)和势垒层(12)而形成的。阱层包括具有张应变的第一类型阱层(14、15、16)，包括或不包括具有压应变的第二类型阱层(13)。一种类型的阱层中至少有一层(16)被生长成具有与同型的其它阱层(14、15)不同的阱宽和/或不同的材料组分。 | ||
| 申请公布号 | CN1105410C | 申请公布日期 | 2003.04.09 |
| 申请号 | CN96194963.5 | 申请日期 | 1996.05.03 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | P·格雷恩斯特兰德 |
| 分类号 | H01S5/34 | 主分类号 | H01S5/34 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;陈景峻 |
| 主权项 | 1.一种制作激光放大器(3)的方法，包括在半导体衬底(6)上制作有源区(5)，制作有源区包括交替地生长势阱层(13、14、15、16)和势垒层(12)，势阱层包括具有张应变的第一类型势阱层(14、15、16)，同时包括或不包括具有压应变的第二类型势阱层(13)，其特征在于，一种类型的势阱层中至少有一层(16)具有与同型的其它势阱层(14、15)不同的阱宽和/或不同的材料组分。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||