| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Justierung (Alignment) einer Mehrebenen-Phasenschiebemaske oder eines -reticles anhand wenigstens einer auf der Maske oder dem Reticle angebrachten Alignmentmarke (2a, 2b), dadurch gekennzeichnet, dass in einem ersten Schritt vor dem ersten Belichtungsschritt der Maske oder des Reticles auf das oder in dem Substrat (1) der Maske oder des Reticles mindestens zwei Alignmentmarken (2a, 2b) aufgebracht oder eingebracht werden, dass in einem zweiten Schritt wenigstens die im ersten Schritt erzeugten Alignmentmarken (2a, 2b) und die sie unmittelbar umgebenden Bereiche mit einer dünnen leitenden Schicht (3) überzogen werden und dass für alle folgenden Alignmentschritte der mehreren Maskenebenen diese im ersten Schritt aufgebrachten Alignmentmarken (2a, 2b) mit einem nicht geladenen oder geladenen Teilchen- oder Photonenstrahl (5) abgerastert werden.
|
