| 发明名称 |
Method of fabricating dual voltage mos transistors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2337158(B) |
申请公布日期 |
2003.04.02 |
| 申请号 |
GB19980009650 |
申请日期 |
1998.05.06 |
| 申请人 |
* UNITED SEMICONDUCTOR CORP;* UNITED MICROELECTRONICS CORP |
发明人 |
JYH-KUANG * LIN;JOE * KO;GARY * HONG;PETER * CHANG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/265;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823;H01L27/088 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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