| 发明名称 | 研磨用组合物及用它的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。 | ||
| 申请公布号 | CN1407050A | 申请公布日期 | 2003.04.02 |
| 申请号 | CN02141814.4 | 申请日期 | 2002.08.09 |
| 申请人 | 不二见株式会社 | 发明人 | 大野晃司;酒井谦儿;伊奈克芳 |
| 分类号 | C09K3/14;H01L21/304;B24B1/00 | 主分类号 | C09K3/14 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈剑华 |
| 主权项 | 1.一种研磨用组合物，用于研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，其特征是，含有以下(a)～(d)成分(a)二氧化硅(b)过碘酸(c)选自氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾和过碘酸钠的至少1种pH调整剂(d)水。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||