| 主权项 |
1.一种电荷储存用之电极配置,其特征为包含:a)外沟渠电极(202;406),其沿着一设置在基板(401)中之沟渠之壁面而形成且在沟渠中在二侧是以第一和第二介电质(104;405,409)作为电性隔离用;b)内沟渠电极(201;410),其在沟渠中由第二介电质(104;409)所隔开而作为外沟渠电极(201;406)之反电极;c)基板电极(201;403),其在沟渠外部由第一介电质(104;405)所隔离以作为外沟渠电极(202;406)之反电极且在沟渠上部区中是与内沟渠电极(201;410)相连。2.如申请专利范围第1项之电荷储存用之电极配置,其中沟渠中第一及第二介电质(405,409)之厚度是定値的。3.如申请专利范围第1或2项之电荷储存用之电极配置,其中内沟渠电极(410)及/或外沟渠电极(406)由掺杂之多晶矽所形成。4.如申请专利范围第1或2项之电荷储存用之电极配置,其中内沟渠电极(410)及/或外沟渠电极(406)由金属所形成。5.如申请专利范围第1或2项之电荷储存用之电极配置,其中内沟渠电极(410)及/或外沟渠电极(406)由金属氮化物所形成。6.一种电荷储存用之电极配置之制造方法,此电荷储存用之电极配置是申请专利范围第1至5项中任一项所述者,本方法之特征为以下各步骤:a)在基板(401)中形成相邻之沟渠;b)在沟渠下部区中设置基板电极(403);c)在沟渠上部区中形成氧化物-领层(404);d)施加第一介电质(405);e)在第一介电质(405)上对应于外沟渠电极(406)而设置第一电极层;f)在一对相邻之沟渠之间之中间区中使基板电极(403)上方之第一电极层(406),第一介电质(405),氧化物-领层(404)及基板(401)被去除;g)施加第二介电质(409);h)在沟渠中对应于内沟渠电极(410)而施加第二电极层;i)在一对相邻之沟渠之间在第二电极层之间形成一种电性连接。图式简单说明:第1图 说明本发明之原理用之平面式记忆电容器配置。第2图 本发明记忆电容器之实施例,其具有折叠式电极及中间电极。第3图 传统式记忆电容器。第4a-i图 各种切面图,其用来说明本发明电荷储存用之电极配置之制造步骤。 |
