发明名称 电容器所用电极之制造方法与电容器之制造方法
摘要 本发明涉及一种电容器(特别是电解式电容器)之制造方法,由具有成份A及成份B之合金开始,成份A之表面能量大于成份B之表面能量,藉由氧化作用感应之沈积物及合金之退火而在含有成份A之本体表面上形成一种含有成份B之层。此外,本发明亦涉及一种电容器之制造方法。藉由中间层(4)之制成,则可使电极或电容器之长时间稳定性获得改良,其中此中间层(4)可防止氧之扩散且对氧之溶解度较电极体(2)者还小。
申请公布号 TW526504 申请公布日期 2003.04.01
申请号 TW090120854 申请日期 2001.08.24
申请人 艾普可斯股份有限公司 发明人 梅尔拉奈史坦宙尔;荷尔格尔吉尔根;贾诺斯吉伯
分类号 H01G9/04 主分类号 H01G9/04
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种电容器所用电极之制造方法,其中电极引线(1)及与其相接触之本体开始,本体之材料具有成份A及成份B,须选取这些成份,使-成份A是一种导电性材料,其一部份可藉由氧化而转换成介电质,-成份A氧化时其自由焓G之绝缘値大于成份B中者,-成份A之表面能量大于成份B之表面能量,其特征为以下各步骤:a)成份A在本体之表面层中氧化以形成电极体(2),其表面具有介电质层(3),b)在适当之温度中对此电极体(2)进行热处理一段时间,直至成份B沈积在电极体(2)之表面上为止且于该处一种中间层(4)形成于电极体(2)及介电质层(3)之间。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中须选取成份B,使中间层(4)可防止物质在介电质层(3)及电极体(2)之间交换。3.如申请专利范围第1或第2项之制造方法,其中使用金属合金作为该本体之材料,其中此合金中之成份B之份量介于10Wt.-ppm和50Wt.-%之间。4.如申请专利范围第3项之制造方法,其中使用一种合金,成份A是一种阀金属或含有阀金属之合金,成份B是金属。5.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中使用一种多孔本体。6.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中须选取成份B,使中间层(4)可防止氧在介电质层(3)及电极体(2)之间扩散。7.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中须选取成份B,使其含有Sc,Y,镧系元素,Ti,Zr,钒,铬,钼或钨。8.如申请专利范围第6项之制造方法,其中须选取成份B,使其含有Sc,Y,镧系元素,Ti,Zr,钒,铬,钼或钨。9.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中选取铌作为成份A且以钒作为成份B,成份A氧化成Nb2O5,在温度直至450℃时对此电极体进行热处理0.5至3小时。10.如申请专利范围第4项之制造方法,其中选取铌作为成份A且以钒作为成份B,成份A氧化成Nb2O5,在温度直至450℃时对此电极体进行热处理0.5至3小时。11.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中须选取此本体之材料中之成份B之份量及电极体(2)之热处理之期间及温度,以形成一种厚度至少是二个原子单层之中间层(4)。12.如申请专利范围第1或第2项之制造方法,其中成份B作为掺杂物质而存在于该本体之材料中。13.一种电容器之制造方法,其是使用申请专利范围第1至12项中任一项之方法,其特征为以下各步骤:c)以反电极(5)覆盖此电极之孔洞(7)之表面,d)使反电极(5)与反电极引线(6)相接触。图式简单说明:第1图 本发明之电极之原理上之构造之横切面。第2图 以本发明之电极作为阳极之一种电解式电容器之横切面。
地址 德国