| 摘要 |
<p>Eine Halbleiterstruktur (100) weist auf einen Schaltbereich (103), daneben einen elektrisch isolierten Programmierbereich (105), und sowohl über dem Schaltbereich (103) als auch über dem Programmierbereich (105) einen Floatinggate-Bereich (201), welcher über dem Programmierbereich (105) derart zwischen genau zwei Elektroden (110, 203) angeordnet ist, dass auf Grund eines zwischen den zwei Elektroden (110, 203) anlegbaren elektrischen Feldes elektrische Ladungsträger in den Floatinggate-Bereich (201) eingebracht oder aus dem Floatinggate-Bereich (201) entfernt werden können.</p> |
