| 摘要 |
<p>La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur de fabrication simplifiée, qui accroît le gain à haute fréquence et ne requiert pas d'accroissement de la surface de puce, ainsi qu'à un amplificateur haute fréquence comportant ce dispositif. Un transistor bipolaire à hétérojonction HBT (100) possède une électrode collectrice (7), une électrode émettrice (5) et une électrode de base (6) disposée entre l'électrode collectrice (7) et l'électrode émettrice (5). L'électrode émettrice (5) est connectée à un câblage conducteur émetteur (8) et l'électrode collectrice (7) est connectée à un câblage conducteur collecteur (9) faisant office de câblage d'électrode de sortie. Le câblage conducteur collecteur (9) est disposé de manière à chevaucher le câblage conducteur émetteur (8) et l'électrode de base (6). Toute la région de recouvrement de l'électrode de base (6) par le câblage conducteur collecteur (9) comporte le câblage conducteur émetteur (8) disposé entre l'électrode de base (6) et le câblage conducteur collecteur (9) de manière à recouvrir l'électrode de base (6) et une structure mesa de base (3).</p> |
