Verfahren zur Herstellung einer Grabenstrukturkondensatoreinrichtung

摘要

Um Grabenkondensatoren (40) mit gleichbleibender oder gesteigerter Kapazität gewährleisten zu können, ist es vorgesehen, Materialien für einen zweiten und gegebenenfalls einen ersten Elektrodenbereich (48, 44) aus einem metallischen Material, einem Metallnitrid oder dergleichen vorzusehen und/oder einen Dielektrikumsbereich (46) mit einem Material mit gesteigerter Dielektrizitätskonstante auszubilden. Ein Isolationsbereich (50) wird im oberen Wandbereich (32c) des jeweiligen Grabens (32) nach dem Ausbilden des ersten Elektrodenbereichs (44) oder des zweiten Elektrodenbereichs (48) durch selektives und lokales Oxidieren ausgebildet.