半导体衬底的制造工艺

摘要

半导体衬底，包括具有多孔区的硅衬底，以及在多孔区上提供的半导体层，该半导体层包括单晶化合物，形成在多孔区表面，表面处其孔洞已被密封。该衬底可由以下工艺制造：热处理具有多孔区的硅衬底，在多孔区表面密封孔洞，以及通过异质外延生长在具有被热处理所密封的孔洞的多孔区上形成单晶化合物半导体层。可以以高生产率，高均匀性，高可控性以及可观的经济优势在大面积硅衬底上形成几乎不含晶体缺陷的单晶化合物半导体薄膜。

主权项

1.制造半导体衬底的工艺，包括以下步骤；热处理具有多孔区的硅衬底密封该多孔区表面的孔洞，使得多孔区表面的不平整度周期为0.5微米至50微米；以及在具有被热处理所密封的孔洞的多孔区上通过外延生长形成单晶化合物半导体层。