| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件和它的制造方法。该方法包括在半导体衬底(100)中形成第一阱区域(104)。半导体衬底(100)包括一个处于第一阱区域(104)下面的第一掺杂区域(102)。第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)掺了第一类型掺杂物，并且第一阱区域(104)与第一掺杂区域(102)保持电连接。在第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)之间形成一绝缘区域(206)。绝缘区域(206)与第二阱区域(404)保持电连接。绝缘区域(206)和第二阱区域(404)掺了第二类型掺杂物。第一类型掺杂物与第二类型掺杂物相反。在一个实施方案中，第一类型掺杂物包括p型掺杂物，而第二类型掺杂物包括n型掺杂物。该方法可以进一步包括，在第一阱区域(104)中低于绝缘区域(206)的地方形成第二掺杂区域(310)。可以在绝缘区域(206)的上面形成第一类型掺杂剂的第三掺杂区域(312)。该方法可以进一步包括在半导体衬底(100)上形成栅结构(504)，邻近栅结构(504)形成源/漏区(604)并且在栅极结构(504)和源/漏区域(604)下面形成保护电荷再结合区域(610)。 | ||
| 申请公布号 | CN1406393A | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
| 申请号 | CN01805820.5 | 申请日期 | 2001.01.31 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 王晓东;迈克尔·P·伍;克雷格·S·拉格;田宏 |
| 分类号 | H01L21/761;H01L21/762;H01L21/265 | 主分类号 | H01L21/761 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体衬底(100)中形成第一阱区域(104)，在半导体衬底(100)中位于第一阱区域(104)下面的地方具有第一掺杂区域(102)，其中第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)包括从一种p型掺杂剂和一种n型掺杂剂组成的组中选出来的第一类型掺杂剂，其中第一阱区域(104)与第一掺杂区(102)电连接；并且在第一阱区域(104)和第一掺杂区域(102)之间形成绝缘区域(206)，绝缘区域(206)与第二阱区域(404)电连接，其中绝缘区域(206)和第二阱区域(404)包括来源于第二类型掺杂剂的掺杂剂，并且第二类型掺杂剂与第一类型掺杂剂相反。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||