| 发明名称 | 半导体产品的制造工艺 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体产品的方法，包括以下步骤：制造包括硅衬底的第一衬底，其上具有多孔硅层和设置于所述多孔硅层上的无孔半导体层；键合所述第一衬底和第二衬底，形成具有所述无孔半导体层设置于其中的多层结构；使所述多层结构的所述第一和第二衬底沿所述多孔硅层彼此分离；及去掉残留于所述分离的第二衬底上的多孔硅层，其特征在于，所述分离步骤包括加热所述多层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1104036C | 申请公布日期 | 2003.03.26 |
| 申请号 | CN97126486.4 | 申请日期 | 1997.11.14 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 坂口清文;米原隆夫;阿闭忠司 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体产品的方法，包括以下步骤：制造包括硅衬底的第一衬底，其上具有多孔硅层和设置于所述多孔硅层上的无孔半导体层；键合所述第一衬底和第二衬底，形成具有所述无孔半导体层设置于其中的多层结构；使所述多层结构的所述第一和第二衬底沿所述多孔硅层彼此分离；及去掉残留于所述分离的第二衬底上的多孔硅层，其特征在于，所述分离步骤包括加热所述多层结构。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||