发明名称 电场发光显示装置
摘要 本发明提供一种电场发光显示装置,其作用为防止于闸极线GL与汲极DL之交又部,闸极线GL与驱动线VL之交叉部,保持电容量线CL与汲极线DL之交叉部,保持电容量线CL与驱动线VL之交叉部等部位所发生之短路,及耐电压特性之降低。本发明为分别对于闸极线GL与汲极线DL之交叉部,闸极线GL与驱动线VL之交叉部,保持电容量线CL与汲极线DL之交叉部,保持电容量线CL与驱动线VL之交叉部插入半导体层(交差保护膜F1、F2、F3、F4)。尤其在对应于该交叉部CR1至CR4之部分,不导入杂质而提高电阻值。再者,交叉保护膜系在交叉部CR1至交叉部CR2成一体延伸,由交叉部CR3至交叉部CR4亦成一体延伸。
申请公布号 TW525403 申请公布日期 2003.03.21
申请号 TW089116756 申请日期 2000.08.18
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 山田努
分类号 H05B33/02 主分类号 H05B33/02
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种电场发光显示装置,系于每一显示画素具有电场发光元件、以及用以驱动前述电场发光元件之薄膜电晶体,并且具有由包围前述显示画素之状态以格子状配置,并以电性连接于前述薄膜电晶体之第一线及第二线者,其特征为,在前述第一线与前述第二线之交叉部,插入着半导体膜。2.一种电场发光显示装置,系排列多数个显示画素而成,该显示画素,包括:电场发光元件,在阳极与阴极间具有发光层;第一薄膜电晶体,有由半导体膜构成之汲极连接于汲极线,闸极连接于闸极线;以及第二薄膜电晶体,具有由前述半导体膜构成之汲极连接于前述电场发光元件之驱动线,闸极连接于前述第一薄膜电晶体之源极,而源极连接于前述电场发光元件;并且在前述闸极线与前述驱动线之交叉部插入着前述半导体膜。3.如申请专利范围第2项之电场发光显示装置,其中,设置于与前述显示画素相邻之相邻的显示画素之驱动线与前述汲极线为相邻而延伸;在前述汲极线与前述闸极线之第一交叉部,以及前述驱动线与前述闸极线之第二交叉部,则有前述半导体膜由前述第一交叉部至第二交叉部一体设置。4.一种电场发光显示装置,系排列多数个显示画素而成,该显示画素包括:电场发光元件,在阳极与阴极之间具有发光层;第一薄膜电晶体,具有由半导体膜构成之汲极连接于汲极线,闸极连接于与前述汲极线交叉之闸极线;第二薄膜电晶体,具有由前述半导体膜构成之汲极连接于与前述闸极线交叉之前述电场发光元件之驱动线,闸极连接于前述第一薄膜电晶体之源极,源极连接于前述电场发光元件;以及保持电容量线,与前述驱动线交叉,并重叠于由前述第一薄膜电晶体之源极延伸之上层电极而形成保持电容量,并且对于前述保持电容量线与前述驱动线之交叉部插入着前述半导体膜。5.如申请专利范围第4项之电场发光显示装置,其中,设置在与前述显示画素相邻之相邻的显示画素之驱动线与前述汲极线为相邻而延伸,在前述汲极线与前述保持电容量线之第三交叉部以及前述驱动线与前述保持电容量线之第四交叉部,具有前述半导体膜由前述第三交叉部至第四交叉部一体设置。6.如申请专利范围第1项至第5项之任一项之电场发光显示装置,其中,在设置于前述交叉部之半导体膜之上层,设置用以阻止离子注入于前述半导体膜之绝缘膜。图式简单说明:第1图系本发明之EL显示装置的显示画素之俯视图。第2图系第1图之A-A线之剖视图。第3图系第1图之B-B线之剖视图。第4图(a)至(d)系第1图之EL显示装置之制造方法之说明图。第5图(e)至(h)系第1图之EL显示装置之制造方法之说明图。第6图(i)系第1图之EL显示装置之制造方法之说明图。第7图系以往之EL显示装置的显示画素之俯视图。第8图系第7图之A-A线之剖视图。第9图系第7图之B-B线之剖视图。
地址 日本