| 主权项 |
1.一种用来执行静态随机存取记忆操作介面之半导体记忆装置,其包括:复数个再生型记忆单元,其系提供于许多字线与许多位元线的交集处;一高压产生器,其响应记忆单元存取操作期间激发之驱动控制信号,提供电压给一后备用之高压输出节点,其中此一高压比电源电压高;一与字线有关之内部电路,其驱动来使用响应指令信息与位址信息之高压,来从许多字线中选择一字线;以及一驱动控制信号产生器,其响应指令信息而产生驱动控制信号,其中在记忆单元存取操作期间,驱动高压产生器的时间点,比该备用高压输出节点之电荷消耗的时间点早。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中电荷消耗时间之起始点,对应于所选择字线之时间的起动点。3.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中指令信息与读取、写入,及再生指令信号有关。4.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中内部电路在一与驱动高压产生器之时间的起始点相比较为延迟的时间点,激发所选择之字线。5.一种半导体记忆装置,其包括:一内部电源供应电压产生器,其产生耦合到外部电源供应电压之内部电源供应电压;一内部电路,其耦合到内部电源供应电压;及一驱动控制信号产生器,用来对内部电源供应电压产生器施加驱动控制信号,其中内部电源供应电压产生器之电荷供应时间的起始点,比内部电路中内部电源供应电压之电荷消耗时间的起始点早。6.如申请专利范围第5项之半导体记忆装置,其中内部电源供应电压产生器中之内部电源供应电压的电压电平比外部电源供应电压之电压电平高。7.如申请专利范围第6项之半导体记忆装置,其中内部电源供应电压产生器包括复数个泵激电容器,这些泵激电容器是用来将外部电压供应电压升压的。8.如申请专利范围第5项之半导体记忆装置,进一步包括耦合到内部电路之动态随机存取记忆单元,而其中该半导体记忆装置执行静态随机存取记忆操作介面。9.如申请专利范围第8项之半导体记忆装置,进一步包括后备高压产生器,其连接到内部电源供应电压产生器的输出节点。10.一种用来控制半导体记忆装置之高压产生器和执行动态随机存取记忆操作介面的方法,该半导体记忆装置具有复数个连接到复数个字线与复数个位元线之交集处的再生型记忆单元,该方法包括:接收外部指令信息,此一外部指令信息系用于记忆单元存取操作期间;及提供驱动控制信号给基于外部指令信息的高压产生器,其中高压产生器之电荷供应操作时间的起始点,是在高压产生器输出节点之电荷消耗时间的起始点之前发生。11.如申请专利范围第10项之方法,其中外部指令信息以与读取、写入与再生信号有关较佳。12.一种用来执行静态随机存取记忆操作之半导体记忆装置,其包括:内部电源供应电压产生器,其视需要提供高于外部电源电压之内部电压;及耦合到内部电路之字线驱动电路,其中高压产生器之电荷供应操作时间的起始点,是在字线驱动电路中高压之电荷消耗时间的起始点之前发生。13.一种用来执行静态随机存取记忆操作之半导体记忆装置,其包括:复数个再生型记忆单元,其连接于复数个字线与复数个位元线之间;一存取指令缓冲区,其响应外部信号,产生与读取、写入与再生指令有关之信号,此等外部信号包括位址信号、晶片起动信号,与写入起动信号;一高压起动电路,其响应至少输出信号之其中之一,产生一驱动控制信号;一高压产生器,其响应驱动控制信号,产生高压;及与字线驱动有关之内部电路,其系用来从复数个字线中选择一字线,并驱动所选择之字线到一时间点之高压,而此一时间点与高压产生器中产生之高压相比是延迟的。14.如申请专利范围第13项之半导体记忆装置,其中该与字线驱动有关之内部电路包括:一延迟电路,其响应存取指令缓冲区之输出信号,产生延迟信号;一位址选择译码器,其响应该等延迟信号,产生第一个位址译码信号;一字线起动电路,其响应第一个位址译码信号与第二个位址译码信号,产生第三个位址译码信号;一字线驱动器控制器,其响应第三个位址译码信号与第四个位址译码信号,产生字线驱动控制信号;及一字线驱动器,其响应字线驱动控制信号与第五个位址译码信号,驱动所选择之译码线到高压。15.如申请专利范围第13项之半导体记忆装置,进一步包括一备用高压产生器,其连接到高压产生器之输出节点。16.如申请专利范围第15项之半导体记忆装置,其中该后备高压产生器产生与后备操作中之高压同样的电压电平。17.一种用来控制半导体记忆装置之高压产生器与执行动态随机存取记忆操作介面的方法,此一半导体记忆装置具有复数个连接到复数个字线与复数个位元线之交集处的再生型记忆单元,其包括步骤:响应记忆单元存取操作期间所应用之外部指令信号,产生指令输出信号;藉由在指令输出信号的产生期间,起动该高压产生器以供应高压给内部电路,以及延迟指令输出信号;及提供该延迟之指令输出信号给内部电路,此一内部电路系用来从复数个字线中选择一字线,其中所选择的字线系于一时间点激发,此一时间点与高压时间之供应点相比是延迟的。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该延迟之指令输出信号系用于位址选择译码器,而此一位址选择译码器产生第一个位址译码信号。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该内部电路包括字线起动电路、字线驱动器控制器及字线。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该字线起动电路响应第一个位址译码信号与第二个位址译码信号,在高压电平产生第三个位址译码信号。21.如申请专利范围第17项之方法,其中该高压之供应操作时间的起始点,是在内部电路中电荷消耗操作之时间的起始点之前发生。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该电荷消耗操作在高压供应之后,但于起动所选择之字线之前,发生于内部电路。图式简单说明:图1说明VPP产生器与电路之具体实施例的方块图,此一VPP产生器与电路,和根据本发明之字线驱动有关;图2说明根据图1之详细电路的电路图;图3说明根据传统半导体装置之VPP供应操作之定时图;及图4说明根据本发明之VPP供应操作之定时图。 |
