电浆处理方法

摘要

本发明之目的在提供一种可去除光阻剂膜与围篱部并维持开口图形之电浆处理方法。首先将晶圆(W)载置于抛光装置(100)之处理室102内所配置之下部电极106上，然后分别对上部电极(122)与下部电极(106)施加60MHz、1Kw之电力与2MHz、250W之电力。如此将导入处理室(102)内之处理气体电浆化后，即可将晶圆W之光阻剂膜(208)抛光，并去除蚀刻时形成于通孔(210)之开口周围之围篱部(214)。其次，当光阻剂膜(208)仍残存时，将对下部电极(106)施加之电力降低至10W以下。而使导入晶圆W之离子的能量减低，即可不削去SiO2膜之通孔(210)及沟部(212)之各肩部(210a)(212a)，而将光阻剂膜(208)抛光。

主权项

1.一种电浆处理方法,系用于将已导入处理室内之处理气体电浆化,以去除配置于该处理室内之被处理体上所形成之光阻剂膜者,包含有:一对该被处理体施加第1电力之偏压用高频率电力之程序;一将该处理气体电浆化之程序;及一于前述光阻剂膜残存中,将该第1电力之偏压用高频率电力转换为比较第1电力弱之第2电力的偏压用高频率电力,而对该被处理体施加该第2电力之偏压用高频率电力之程序。2.一种电浆处理方法,系用于将已导入处理室内之处理气体电浆化,以去除配置于该处理室内之被处理体上所形成之光阻剂膜者,包含有:一对该被处理体施加偏压用高频率电力之程序;一将该处理气体电浆化之程序;及一于前述光阻剂膜残存中,停止施加该偏压用高频率电力之程序。3.一种电浆处理方法,系以具有比形成于被处理体上预定层之孔洞开口面积大之开口面积,且具有包含该孔洞之开口的开口图形之光阻剂膜作为光罩,而施行电浆蚀刻处理至该预定层之中途,再去除该光阻剂膜者,包含有:一对该被处理体施加第1电力之偏压用高频率电力之程序;一将处理气体电浆化之程序;及一于前述光阻剂膜残存中,将该第1电力之偏压用高频率电力转换为比该第1电力弱之第2电力的偏压用高频率电力,而对该被处理体施加该第2电力之偏压用高频率电力之程序。4.一种电浆处理方法,系以具有比形成于被处理体上之预定层之孔洞开口面积大之开口面积,且具有包含该孔洞之开口的开口图形之光阻剂膜作为光罩,而施行电浆蚀刻处理至该预定层之中途,再去除该光阻剂膜者,包含有:一对该被处理体施加偏压用高频率电力之程序;一将处理气体电浆化之程序;及一于前述光阻剂膜残存中,停止施加该偏压用高频率电力之程序。5.如申请专利范围第1-4项中任一项之电浆处理方法,其中该光阻剂膜系用以在形成于该被处理体上之SiO2膜上形成预定图形之光罩。6.如申请专利范围第1-4项中任一项之电浆处理方法,其中该光阻剂膜系用以在形成于该被处理体上之有机物材料膜上形成预定图形之光罩。图式简单说明:第1图为显示可应用本发明之抛光装置的概略截面图。第2(a)图为显示抛光处理前之晶圆的概略截面图,第2(b)图为显示在抛光处理中转换偏压用高频率电力时之晶圆的概略截面图,第2(c)图为显示抛光处理后之晶圆的概略截面图。第3(a)图为显示未经抛光处理,且尚未藉蚀刻处理形成沟部之晶圆的概略平面图,第3(b)图为显示将第3(a)图所示晶圆以沿A-A线之平面切断后之概略平面图。第4(a)图为显示未经可应用本发明之其他抛光处理,且尚未藉蚀刻处理形成接触孔之晶圆的概略平面图,第4(b)图为显示将第4(a)图所示晶圆以沿B-B线之平面切断后之概略截面图。第5(a)图为显示晶圆经以往连续施加固定电力之偏压用高频率电力之抛光处理后的概略截面图,第5(b)图为显示晶圆经以往不施加偏压用高频率电力之抛光处理后的概略截面图。