主权项 |
1.一种溅镀成膜装置,其系具备有:与存在于溅镀成膜室(200)内之基板(42)相对配置的标靶(20);以及设置于该标靶(20)之背面上的磁控管磁性电路(24),该装置至少沿着一方向,而摇动前述磁控管磁性电路(24),以便于在前述基板(42)之表面上进行溅镀成膜处理,其特征为:具备有控制机构,系控制前述磁控管磁性电路(24)之摇动速度,以便于根据前述磁控管磁性电路(24),而在前述标靶(20)之表面上,制造出具备有溅镀能力之电浆区域,并且,在该具备有溅镀能力之电浆区域,通过前述标靶(20)表面之各个部位时,使得前述标靶(20)表面之各个部位,连续地滞留在前述电浆区域中1秒钟以上之时间。2.一种溅镀膜形成方法,其系至少沿着一方向,而摇动设置于所谓配置成为面对着基板之标靶之背面上的磁控管磁性电路,以便于在前述基板之表面上进行溅镀成膜处理,其特征为:摇动前述磁控管磁性电路,以便于根据前述磁控管磁性电路,而在前述标靶之表面上,制造出具备有溅镀能力之电浆区域,并且,在该具备有溅镀能力之电浆区域,通过前述标靶表面之各个部位时,使得前述标靶表面之各个部位,连续地滞留在前述之电浆区域中1秒钟以上之时间。图式简单说明:图1系为本发明之实施形态之溅镀成膜装置之俯视概略图。图2系为用以说明磁控管阴极之构造之俯视概略图。图3系为用以显示出该根据电浆之所形成之侵蚀实施区域之整体形状之俯视图。图4系为用以显示出在磁控管阴极中之标靶经过溅镀蚀刻处理之第1状态之图式。图5系为用以显示出在磁控管阴极中之标靶经过溅镀蚀刻处理之第2状态之图式。图6系为进行着长时间溅镀蚀刻处理之标靶之剖面图。图7系为磁控管磁性电路之摇动速度之位置依存性之图式。图8系为用以显示出连续溅镀蚀刻时间和标靶利用效率之间之关系之图式。图9系为用以显示出习知之先前技术之溅镀成膜装置中之磁控管磁性电路之摇动速度之位置依存性之图式。图10系为用以显示出该所投入之电力量和成膜速度之间之关系之图式。图11系为用以显示出该所投入之电力量和电弧次数之间之关系之图式。图12系为用以显示出在习知之先前技术之磁控管阴极中之标靶经过溅镀蚀刻处理之第1状态之图式。图13系为用以显示出在习知之先前技术之磁控管阴极中之标靶经过溅镀蚀刻处理之第2状态之图式。图14系为用以显示出在习知之先前技术之磁控管阴极中之所形成之球粒(nodule)之剖面图。 |