| 主权项 |
1.一种薄膜成长装置,其中薄膜经由将基底(4)曝露于交替重复的气相作用物中以在基底(4)表面成长,该装置包括:-一反应室,包括一反应空间(1),与该反应空间(1)连接的进气装置(2),将用于该薄膜成长连接的3-态缓冲器作用物馈入该反应空间(1),以及与该反应空间(1)连接的排气装置(8),用以排放该反应空间(1)中超量的作用物及气体反应生成物,-至少一片基底(4),可接合到该反应空间(1)中,以及-第二表面,接合在该反应空间(1)内,其配置面对该基底(4)成长薄膜的表面,与该基底支援该薄膜成长处理的表面间配置一距离,因此,该作用物可被迫流过该相对表面间所形成的空间,其特征为-该基底(4)支援该薄膜成长的表面与配置在该反应室中与其面对配置的表面间形成一张角(11),朝向作出物流动的方向张开,因此,该相对表面在作用物之进气端间的距离小于排气端。2.如申请专利范围第1项的装置,其特征为该作用物被安排流入该反应室之该基底(4)支援该薄膜成长的面与该相对之该第二表面间的空间。3.如申请专利范围第1或第2项的装置,其特征为该基底(4)支援该薄膜成长的表面与该相面对的该第二表面可安排成在该反应室的内部空间内移动。4.如申请专利范围第1项的装置,其特征为该第二表面是基底(4)支援薄膜成长的表面。5.如申请专利范围第1项的装置,其特征为该反应空间包括-一匣单元(1),它的进气端及排气端都是开放端,该作用物的该进气装置(2)连接到进气端,用以排放气体反应生成物及超量作用物的该排气装置(8)连接到它的排气端,以及-基底(4)适配到该匣单元(1)内,以使它们支援薄膜成长的表面相面对,且相互间配置一距离,因此,该作用物被迫流过形成于两相对表面间的空间。6.如申请专利范围第1或第2项的装置,其特征为该基底(4)之支援薄膜成长的表面与该相对之第二表面间的张角(11),相对于气流方向大约在0-10度的范围。7.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征写该作用物的进气装置(2)包括平行之进气通道(9)的歧管接合于出口,至少实质上垂直于该基底(4)的纵轴或侧向轴。8.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征为该作用物的进气装置(2)适合匹配该基底(4)面对该作用物进气装置(2)之边缘的表面形状。9.如申请专利范围第5项的装置,其特征为进气端连接到该匣单元(1)的上端,以及,排气端连接到该匣单元(1)的下端,因此,气流被迫从顶部通过该匣单元(1)到达底部。10.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征为背侧相对配置之该基底(4)的顶缘被连续的密封条(6)覆盖。11.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征为背侧相对配置之该基底(4)的底缘被连续的密封条(6)覆盖。12.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征为排气装置包括一吸收盒(8),与排气通道(7)相连。13.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征为该反应室与该处理室结构的支撑点至少实质上与该排气装置(8)的中心点相合。14.如申请专利范围第5项的装置,其特征为该排气端与该排气装置(8)间适配一烟囱形状的导流管道(12),因此,气流通道的截面从该排气端朝向该排气装置(8)沿着长度方向渐缩。15.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征为该基底(4)支援该薄膜成长的表面以相面对的方式配置,以限制该作用物的流动。16.如申请专利范围第1项或第5项的装置,其特征为该作用物被安排从覆盖于该相对基底(4)上缘之连续密封条(6)的上方离开该进气装置(2),以等化该作用物的流动剖面。图式简单说明:图1是用于按照本发明之装置之反应室的分解图;图2是图1所描绘之处理室之基底固定匣的细部图;以及图3是基底放置在平行之框中的截面配置置图。 |
