| 主权项 |
1.一种具有移相单元之电磁干扰抵消线路,系设置于一电子装置,该电磁干扰抵消线路至少包含:一移相单元,该移相单元与一信号撷取端相接,用以接收将该信号撷取端之信号,并加以移相后产生一抵消信号;及一天线,该天线与该移相单元相接,用以接收该抵消信号并发射移相之电磁波,以产生磁场抵消与电场耦合。2.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该抵消信号为一经由该移相器移相后之假信号(Dummy Signal)。3.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该移相单元为一移相器(phase shifter)。4.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一印刷电路板之描迹(trace)。5.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一积体电路(Integrated Circuit)。6.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一振荡器(oscillator)。7.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一晶体元件(Crystal)。8.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该天线可以是一微带天线(Microstrip antenna)。9.如申请专利范围第1项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该天线可以是一带状线天线(Stripline antenna)。10.如申请专利范围第3项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该移相器的型式可选自直线式延迟线型(Straight delay line)、曲折式延迟线型(Meander-line delayline)、T式接合相位型(T-junction phase)、串接相位型(Series phase)、串接PIN相位型(Series PIN diode phase)、分流相位型(Shunt phase)、分流PIN相位型(Shunt PIN diodephase)及铁电性相位型(Ferroelectric phase)的组合中任选其中一种。11.一种具有移相单元之电磁干扰抵消线路,系设置于一电子装置,该电磁干扰抵消线路至少包含有一移相单元及一天线,其特征为:该具有移相单元之电磁干扰抵消线路与一信号撷取端相接,用以接收将该信号撷取端之信号源,并利用取得之一电磁干扰谐波推算出一基频,且将该信号源加以升阶至与该电磁干扰谐波匹配,并传送至该移相单元于移相后产生一抵消信号传送至该天线,而该天线用以接收该抵消信号并发射移相之电磁波,以产生磁场抵消与电场耦合。12.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该抵消信号为一经由该移相器移相后之假信号(Dummy Signal)。13.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该移相单元为一移相器(phase shifter)。14.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一印刷电路板之描迹(trace)。15.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一积体电路(Integrated Circuit)。16.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一振荡器(oscillator)。17.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该信号撷取端为一晶体元件(Crystal)。18.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该天线可以是一微带天线(Microstrip antenna)。19.如申请专利范围第11项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该天线可以是一带状线天线(Stripline antenna)。20.如申请专利范围第13项所述之具有移相单元之电磁干扰抵消线路,其中该移相器的型式可选自直线式延迟线型(Straight delay line)、曲折式延迟线型(Meander-line delayline)、T式接合相位型(T-iunction phase)、串接相位型(Series phase)、串接PIN相位型(Series PIN diode phase)、分流相位型(Shunt phase)、分流PIN相位型(Shunt PINdiode phase)及铁电性相位型(Ferroelectric phase)的组合中任选其中一种。图式简单说明:第1图为本发明实施例的具有移相单元之电磁干扰抵消线路示意图;第2A图为本发明实施例所利用之天线的驻波分布示意图;第2B图为本发明实施例所利用天线的端部辐射示意图;第3图为本发明实施例的电磁场抵消及泄漏场强度示意图;及第4A-4H图为习知移相器的型式图。 |
