氮化物半导体激光元件

摘要

本发明氮化物半导体激光元件，为了提供能够精确控制p侧欧姆电极与p型接触层之间的接触宽度且可靠性高的氮化物半导体激光元件，备有，在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层；该p型氮化物半导体层，包含最上层的p型接触层在内形成有一脊部，且该脊部上面的p型接触层上形成有一p侧欧姆电极；又形成有第1绝缘膜，其于脊部上面有开口部，并覆盖脊部的侧面及该侧面外侧附近；并形成p侧欧姆电极，其是介以开口部形成为与p型接触层相接；进一步形成第2绝缘膜于第1绝缘膜之上方。

主权项

1.一种氮化物半导体激光元件，具备在基板上依次形成的n型氮化物半导体层、活性层及p型氮化物半导体层；该p型氮化物半导体层中以至少包括最上层的p型接触层之方式形成有脊部，且与脊部上面的p型接触层做欧姆接触的p侧欧姆电极，是与谐振方向大自平行地形成，其特征在于：形成有第1绝缘膜，其是于前述脊部上面具有开口部，并至少覆盖前述脊部的侧面及该侧面外侧附近；所形成的前述p侧欧姆电极是介以前述开口部与前述p型接触层相接；前述第1绝缘膜之上进一步形成有第2绝缘膜。