| 发明名称 | 非易失性半导体存储器件及其制造方法和操作方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性半导体存储器件，它具有单元，单元包括在半导体衬底的表面层上形成的漏扩散区和源扩散区、在漏扩散区和漏扩散区之间形成的第一绝缘膜、在第一绝缘膜上形成的浮栅、在浮栅上形成的第二绝缘膜、在第二绝缘膜上形成的第一控制栅、在第一控制栅及其侧壁上和浮栅侧壁上形成的第三绝缘膜、在第一控制栅上形成并以第三绝缘膜置于其中的第二控制栅。 | ||
| 申请公布号 | CN1404152A | 申请公布日期 | 2003.03.19 |
| 申请号 | CN02141611.7 | 申请日期 | 2002.09.02 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 杉田靖博;山内祥光 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/788 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器件，包括一存储单元，存储单元包括：在半导体衬底表面层上形成的漏扩散区和源扩散区；在源扩散区和漏扩散区之间形成的第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成的浮栅；在浮栅上形成的第二绝缘膜；在第二绝缘膜上形成的第一控制栅；在第一控制栅及其侧壁上和浮栅侧壁上形成的第三绝缘膜；以及在第一控制栅上面形成的第二控制栅，以第三绝缘膜介于其间。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||