能够抑制电流在焊盘里集中的半导体器件及其制造方法

摘要

在半导体衬底上形成一层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成一内层绝缘膜。穿过层内膜形成一凹槽。凹槽具有一个焊盘部分和一个连着焊盘部分的布线部分。焊盘部分的宽度宽于布线部分的宽度。焊盘部分留有许多凸出区域。凸出区域以这样一种方式分布，即邻近布线区的凹槽区比率高于第二框形区的凹槽区比率，邻近布线区重叠于布线地区延伸进焊盘地区的区域之上，且处在把焊盘部分的外边界线作为外边界线并具有第一宽度的第一框形区之内，而第二框形区则把第一框形区的内边界线作为外边界线并具有第二宽度。在凹槽中填充导电膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)在衬底表面上形成了半导体元件的半导体衬底上形成由绝缘材料制成的第一个层间绝缘膜；(b)在第一个层间绝缘膜上形成由绝缘材料制成的第一个内层绝缘膜；(c)穿过第一内层绝缘膜形成凹槽，其中凹槽有一个焊盘部分和连着这个焊盘部分的布线部分，焊盘部分的宽度宽于布线部分的宽度，在焊盘部分留有许多凸出区域，并且形成凹槽使得凸出区域以这样一种方式分布，即邻近布线区的凹槽区比率高于第二框形区的凹槽区比率，该邻近布线区重叠于布线地区延伸进焊盘地区的区域之上，且处在把焊盘部分的外边界线作为外边界线并具有第一宽度的第一框形区之内，而第二框形区则把第一框形区的内边界线作为外边界线并具有第二宽度；(d)在半导体衬底上形成由导电材料制成的第一薄膜，第一薄膜填充进凹槽；以及(e)除去第一薄膜的上面区域以形成留在凹槽中的第一薄膜制成的第一焊盘。