发明名称 | 稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法 | ||
摘要 | 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于:它含有氧化钪、铼和钨,其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10%,铼占0-5%,其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于,它包括以下步骤:在蓝钨中,以硝酸钪水溶液形式加入1-10%的氧化钪,同时以铼酸铵水溶液的形式加入0-5%的铼,在氢气气氛中,500-650℃下还原0.5-1.5小时,800-1000℃下还原保温1-3小时,得到掺杂氧化钪的钨粉;将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体;浸渍铝酸盐,超声波清洗和退火后,制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀,提高了耐高温、抗离子轰击能力,而且本发明的制备方法工艺重复性好。 | ||
申请公布号 | CN1402291A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
申请号 | CN02131345.8 | 申请日期 | 2002.09.29 |
申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 王金淑;周美玲;王亦曼;陶斯武 |
分类号 | H01J1/14;H01J1/30 | 主分类号 | H01J1/14 |
代理机构 | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张慧 |
主权项 | 1、一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料,其特征在于:它含有氧化钪、铼和钨,其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10%,铼占0-5%,其余为钨。 | ||
地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 |