| 发明名称 | 磷化铟单晶片的抛光工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磷化铟单晶片的抛光工艺。采用的化学抛光液由强氧化剂和酸性pH值调节剂组成，其中强氧化剂为过氧化氢，其浓度为100－150克/升，酸性pH值调节剂为乳酸(C<SUB>3</SUB>H<SUB>6</SUB>O<SUB>3</SUB>)、冰醋酸(CH<SUB>3</SUB>COOH)或柠檬酸(C<SUB>6</SUB>H<SUB>8</SUB>O<SUB>7</SUB>)等，比较理想的是乳酸，其浓度为60－100克/升。化学抛光液的pH为2－3。抛光时单晶片承受的压力为0.25－0.65Kg/cm<SUP>2</SUP>。抛光质量为优良镜面、无桔皮、无白雾。 | ||
| 申请公布号 | CN1402309A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
| 申请号 | CN01120368.4 | 申请日期 | 2001.08.20 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 董宏伟;赵有文;杨子祥;焦景华 |
| 分类号 | H01L21/302;C23F1/10;B24B1/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种磷化铟单晶片的抛光工艺，包括使用抛光设备对磷化铟单晶片抛光，化学抛光液由强氧化剂和酸性pH值调节剂组成，其特征在于，强氧化剂为过氧化氢，酸性pH调节剂为乳酸、冰醋酸或柠檬酸等，其中首选为乳酸。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路肖庄 | ||