| 发明名称 | 形成具有高电容量与低伏特系数的电容器的方法 | ||
| 摘要 | 一种在一集成电路中形成一电容器的方法，其包括：提供一半导体底材，具有一导电层于半导体底材上；移除部分导电层以形成一电极；植入多个第一掺质于电极的一表面以形成一第一掺杂区；植入多个第二掺质于电极中以形成一第二掺杂区于第一掺杂区下方；及形成包括电极的电容器。本发明利用第一掺杂区与第二掺杂区可同时增加电容器的电容量，并降低伏特系数。 | ||
| 申请公布号 | CN1402338A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
| 申请号 | CN02143320.8 | 申请日期 | 2002.09.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 林明育;王学文 |
| 分类号 | H01L21/822 | 主分类号 | H01L21/822 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种形成一集成电路中一电容器的方法，其特征在于，该方法包括：提供一半导体底材，该半导体底材具有一导电层于该半导体底材上；移除部分该导电层以形成一电极；植入多个第一掺质于该电极的一表面以形成一第一掺杂区；植入多个第二掺质于该电极中以形成一第二掺杂区于该第一掺杂区下方；及形成包括该电极的该电容器。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 | ||