| 发明名称 | 磁阻磁头及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种磁阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁阻薄膜。该磁阻磁头进一步包括位于所述磁阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1402224A | 申请公布日期 | 2003.03.12 |
| 申请号 | CN02105798.2 | 申请日期 | 2002.04.18 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 芦田裕;江口伸;田中厚志;近藤玲子;清水丰 |
| 分类号 | G11B5/39 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种磁阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上的第一电极端，所述第一电极端具有第一宽度；位于所述第一电极端上的磁阻薄膜，所述磁阻薄膜具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度；位于所述磁阻薄膜上的第二电极端，所述第二电极端具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||