| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Halbleitersensor (1) mit einer Pixelstruktur, wobei jeder Pixel eine Integrationselektrode (12) hat. Zu jedem Pixel ist eine Kapazität ausgebildet, die Ladung speichert und in auslesbare Spannung konvertiert. Der Sensor (1) ist zum unmittelbaren Detektieren von Elektronen (e) ausgebildet, wobei eine Schalteinheit vorgesehen ist, dessen schaltbare Ausgänge mit wenigstens einigen Integrationselektroden (12) verbunden sind, und über die Schalteinheit ein einstellbar konstantes oder festes Potential auf ausgewählte Integrationselektroden (12') anlegbar ist, um eine Bündelung der zu detektierenden Elektronen (e) auf bestimmte Integrationselektroden (Registrierpixel) (12") auszubilden. Alternativ oder ergänzend sind im wesentlichen ringförmig um eine oder mehrere Integrationselektroden (12) angeordnete Fokussierelektroden (13) vorgesehen, wobei schaltbare Ausgänge der Schalteinheit mit den Fokussierelektroden (13) zum Anlegen eines einstellbar konstanten oder festen Potentials verbunden sind, um eine Bündelung der zu detektierenden Elektronen (e) auf bestimmte Integrationselektroden (Registrierpixel) (12") auszubilden. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Beschaltung eines derartigen Halbleitersensors, wobei an die Fokussierelektroden bzw. an ausgewählte Integrationselektroden feste Potentiale angelegt werden, so daß der zu detektierende Elektronenfluß nur vorbestimmte Integrationselektroden (Registrierpixel) des Halbleitersensors erreicht. <IMAGE> <IMAGE></p> |
