发明名称 用于多频操作之单偶极天线
摘要 本发明系关于一种用于多频操作之单偶极平板天线,包括:一基底及一辐射金属片。该辐射金属片形成于该基底之一第一表面,该辐射金属片具有一馈入点及至少一狭缝,该狭缝由该辐射金属片之一边缘延伸至该辐射金属片之内部,俾在该辐射金属片上形成一第一路径及一第二路径。该第一路径同时操作于四分之一及二分之一波长的共振模态,该第二路径则操作于四分之一波长之模态,以共振出涵盖GSM(880-960MHz)、DCS(1710-1880MHz)、PCS(1850-1990MHz)与IMT-2000(1920-2170MHz)四个无线通讯系统所需要的频宽。且本发明之单偶极平板天线制作容易,可达到降低成本之目的,并且能缩小天线之高度。
申请公布号 TW523963 申请公布日期 2003.03.11
申请号 TW090119770 申请日期 2001.08.13
申请人 飞元科技股份有限公司;翁金辂 高雄市鼓山区大荣街一○九号 发明人 李国筠;翁金辂;林原志;邱宗文;蔡文忠
分类号 H01Q9/28 主分类号 H01Q9/28
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种用于多频操作之单偶极平板天线,包括:一基底;及一辐射金属片,形成于该基底之一第一表面,该辐射金属片具有一馈入点及至少一狭缝,该狭缝由该辐射金属片之一边缘延伸至该辐射金属片之内部,俾在该辐射金属片上形成一第一路径及一第二路径,以共振出涵盖多频之操作频带。2.如申请专利范围第1项之单偶极平板天线,另包括一微带馈线,形成于该基底之该第一表面,且于该辐射金属片之馈入点连接至该辐射金属片,使信号传递至该辐射金属片。3.如申请专利范围第1项之单偶极平板天线,另包括一接地金属片,形成于相对该基底之第一表面之一第二表面。4.如申请专利范围第1项之单偶极平板天线,其中该第一路径之长度大于该第二路径之长度,且该第二路径被第一路径所环绕,该第一路径同时操作于四分之一及二分之一波长的共振模态,该第二路径则操作于四分之一波长之模态。5.如申请专利范围第1项之单偶极平板天线,其中该基底之材质为微波基底。图式简单说明:图1为本发明之单偶极平板天线之侧视图;图2为本发明用于单偶极平板天线之辐射金属片之结构图;图3为本发明之单偶极平板天线之返回损失实验量测结果图;图4a-1及图4a-2为本发明之单偶极平板天线操作于900MHz之辐射场型;图4b-1及图4b-2为本发明之单偶极平板天线操作于1800MHz之辐射场型;图4c-1及图4c-2为本发明之单偶极平板天线操作于1900MHz之辐射场型;图4d-1及图4d-2为本发明之单偶极平板天线操作于2050MHz之辐射场型;图5a为本发明之单偶极平板天线之GSM频带内增益对频率之关系图;图5b为本发明之单偶极平板天线之DCS频带内增益对频率之关系图;图5c为本发明之单偶极平板天线之PCS频带内增益对频率之关系图;图5d为本发明之单偶极平板天线之IMT-2000频带内增益对频率之关系图;及图6a至6d为本发明用于单偶极平板天线之辐射金属片之其他实施例结构图。
地址 高雄市楠梓加工出口区西三街十六号