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Bei einem Verfahren zur elektrochemischen Oxidation eines Halbleiter-Substrats (1), das in einem Silizium-Oberflächenbereich (2) gebildete Vertiefungen (3) wie beispielsweise Kondensatorgräben oder Mesoporen aufweist, findet eine selbstlimitierte Oxidbildung statt. Deren Ende wird in Abhängigkeit der Verfahrensparameter wie Dotierung des Siliziumbereichs, angelegter Spannung und Zusammensetzung des verwendeten Elektrolyten, erreicht, sobald entweder eine vorbestimmte maximale Schichtdicke des gebildeten Oxids (7) oder aber eine vorbestimmte minmale verbleibende Siliziumschichtdicke zwischen zwei benachbarten Vertiefungen (33) erreicht ist. Die Selbstlimitierung wird entweder dadurch erreicht, daß die gesamte angelegte Spannung über die bereits gebildete Siliziumoxidschicht (7) abfällt oder aber dadurch, daß sich die Raumladungszonen (4) benachbarter Vertiefungen (3) berühren.
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