Transistor für eine Bandabstandsschaltung

摘要

Es wird ein Transistor für eine Bandabstandsschaltung beschrieben, der in Form eines npn-Transistors ausgebildet ist. Dabei wird als Basisanschluss eine isolierte p-Wanne verwendet, die von einer vergrabenen n-Wanne umgeben ist. Die n-Wanne stellt den Emitteranschluss dar. In der p-Wanne ist ein negativ dotiertes Gebiet ausgebildet, das als Kollektoranschluss dient. Die verwendete Struktur ist bei DRAM-Prozessen vorhanden und kann deshalb zur Ausbildung eines npn-Transistors als Fußpunktdiode in Bandabstandsschaltungen verwendet werden.