| 发明名称 | 防止氮化物内存晶胞被充电的制造方法及其装置 | ||
| 摘要 | 一种防止氮化物只读存储器(Nitride Read OnlyMemory；NROM)晶胞被充电的制造方法。本发明的方法在NROM单元的内层介质(Inter－Level Dielectrics；ILD)/内金属介质(Inter－Metal Dielectrics；IMD)中形成保护层，此保护层可防止制造过程中的紫外线(Ultra－Violet Light)或等离子体穿透而进入NROM单元内，并可防止离子迁移率的增加，而导致制造过程的电荷量提高，影响NROM单元的电性稳定度。另外，尚可降低NROM单元的阈值电压(Threshold Voltage)，而扩大阈值电压的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN1400655A | 申请公布日期 | 2003.03.05 |
| 申请号 | CN01123721.X | 申请日期 | 2001.07.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 宋建龙;刘振钦;周立业 |
| 分类号 | H01L21/8246;H01L21/314 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种防止氮化物只读存储器晶胞被充电的制造方法，至少包括：提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一栅极覆盖部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该栅极的两侧，且覆盖另一部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一绝缘层覆盖该基材、该栅极、以及该间隙壁；以及形成一保护层覆盖该绝缘层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||