发明名称 | 包含偏移导体的磁随机存取存储器件 | ||
摘要 | 一种磁随机存取存储器(MRAM)(10)包括单元(14)的阵列(12);和在该阵列(12)第一侧的多个第一导体。第一导体沿着第一方向延伸并偏移至少若干存储器单元(14)。 | ||
申请公布号 | CN1400607A | 申请公布日期 | 2003.03.05 |
申请号 | CN02127575.0 | 申请日期 | 2002.08.01 |
申请人 | 惠普公司 | 发明人 | M·沙梅;M·布哈塔查尔亚 |
分类号 | G11C11/15;H01L27/10 | 主分类号 | G11C11/15 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
主权项 | 1.一种数据存储器件(10,210,310,410,510),该器件包括磁存储器单元(14)的阵列(12);和在存储器单元阵列(12)一侧的多个第一导体,第一导体沿着第一方向延伸;第一导体在第二方向至少偏移若干存储器单元(14),第一和第二方向是正交的。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |