发明名称 包含偏移导体的磁随机存取存储器件
摘要 一种磁随机存取存储器(MRAM)(10)包括单元(14)的阵列(12);和在该阵列(12)第一侧的多个第一导体。第一导体沿着第一方向延伸并偏移至少若干存储器单元(14)。
申请公布号 CN1400607A 申请公布日期 2003.03.05
申请号 CN02127575.0 申请日期 2002.08.01
申请人 惠普公司 发明人 M·沙梅;M·布哈塔查尔亚
分类号 G11C11/15;H01L27/10 主分类号 G11C11/15
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;梁永
主权项 1.一种数据存储器件(10,210,310,410,510),该器件包括磁存储器单元(14)的阵列(12);和在存储器单元阵列(12)一侧的多个第一导体,第一导体沿着第一方向延伸;第一导体在第二方向至少偏移若干存储器单元(14),第一和第二方向是正交的。
地址 美国加利福尼亚州