| 主权项 |
1.一种主动矩阵型显示装置,其形成为藉由在一基板上堆叠由配置一发光部份在一子像素单元内所形成的一装置层,及由配置一子像素电路用于驱动一子像素单元内该发光部份的一发光装置所形成的一电路层,该主动矩阵型显示装置包括:一条形子像素配置,其中该子像素电路存在于列方向及行方向的直线上;及一形子像素配置,其中该发光部份具有两倍该子像素电路的该子像素配置在列方向的子像素节距,与1/2该子像素电路的该子像素配置在行方向的子像素节距,以及相邻两列之间子像素配置的一相位差等于1/2该发光部份在列方向的节距。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中该发光装置之三者,三种不同色的发光体,形成一像素并作为一单元;该发光装置的配置为形关系,其中同一发光色彩的子像素互不相邻,且一像素内三种不同色的三子像素的中心位置相互邻接而形成一三角形;及行方向的相邻子像素在二子像素列之内的配置为正及反形交错,或三角形的顶端及底部彼此相反。3.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中用于连接该发光部份及列方向相邻的该子像素电路的二子像素中的该子像素电路的连接部份形成一单元,及配置于二子像素之间不同的位置。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中该连接部份配置于该发光部份中确定形状的发光区之外。5.如申请专利范围第3项之主动矩阵型显示装置,其中该连接部份配置于该发光部份中确定形状的发光区之外。6.如申请专利范围第3项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路中电路装置的配置在该二子像素之间相同。7.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路的该二子像素中电路装置的配置系对称于该子像素电路的行之间的一界线。8.如申请专利范围第6项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路的该二子像素中电路装置的配置系对称于该子像素电路的行之间的一界线。9.如申请专利范围第7项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路具有一电源供应线,其路径沿该二子像素的行方向的一界限,及在该二子像素之间共用电源供应线。10.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中相邻两列中的该子像素电路形成一单元,及两列子像素中的电路装置的配置系对称于该等列之间的一界线。11.如申请专利范围第6项之主动矩阵型显示装置,其中相邻两列中的该子像素电路形成一单元,及两列子像素中的电路装置的配置系对称于该等列之间的一界线。12.如申请专利范围第10项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路具有一扫描线,其路径沿该两列的列方向的子像素的一界限,及在该两列的子像素之间共用扫描线。13.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路具有一裂缝沿着配线方向形成于一配线图案中存在的一电路装置的连接部份附近。14.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中该发光装置为一有机场致发光装置具有一第一电极、一第二电极、及一有机层包括该等电极之间的一发光层。15.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路为一薄膜电晶体电路。16.一种主动矩阵型显示装置,由配置子像素电路用于驱动一矩阵方式中子像素单元中发光部份的发光装置而形成,其中该等子像素电路具有一裂缝,其沿着配线方向形成于一配线图案中存在的一电路装置的连接部份附近。17.如申请专利范围第16项之主动矩阵型显示装置,其中该发光装置为一有机场致发光装置具有一第一电极、一第二电极、及一有机层包括该等电极之间的一发光层。18.如申请专利范围第16项之主动矩阵型显示装置,其中该子像素电路为一薄膜电晶体电路。图式简单说明:图1为一条形子像素配置的构造图;图2为一形子像素配置的构造图;图3为一电路图显示根据本发明一具体实施例的一主动矩阵型有机EL装置的构造;图4为一有机EL装置的结构的断面图;图5为根据本具体实施例的主动矩阵型有机EL显示装置的断面结构的断面图;图6A、6B及6C为图案规划图显示有机EL装置的子像素配置及子像素电路的子像素配置的结合;图7A及7B显示有机EL装置条形配置(A)及有机EL装置形配置(B)之间的子像素间距离之差异;图8A及8B显示金属遮罩的孔径的形状;图9A、9B及9C显示发光装置的不同形状的发光区;图10显示有机EL装置的形配置;图11显示有机EL装置的形配置的修改;图12用来协助说明形成接触部份引起的问题;图13显示形成接触部份的第一构造;图14显示第一构造的修改;图15A及15B显示形成接触部份的第二构造;图16A及16B显示形成接触部份的第三构造;图17为一配置图案图显示形成接触部份的第四构造;图18为一电路图显示一电流写入型子像素电路的构造;及图19为一具有一裂缝在接触部份附近的电晶体结构的立体图。 |
