| 主权项 |
1.一种半导体装置,具有薄膜电晶体,该半导体装置包括:形成在基板上的绝缘膜;及形成在该绝缘膜上的半导体膜,其中,该绝缘膜由氧氮化矽膜构成,膜中的氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变。2.一种半导体装置,具有薄膜电晶体,该半导体装置包括:形成在基板上的绝缘膜;及形成在该绝缘膜上的半导体膜,其中,该绝缘膜由氧氮化矽膜构成,膜中的氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变。3.一种半导体装置,具有薄膜电晶体,该半导体装置包括:形成在基板上的绝缘膜;及形成在该绝缘膜上的半导体膜,其中,该绝缘膜由氧氮化矽膜构成,膜中的氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变,并且,其中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变。4.一种半导体装置,具有薄膜电晶体,该半导体装置包括:第一绝缘膜,包含形成在基板上之氧氮化矽膜;与该第一绝缘膜接触形成的第二绝缘膜;及形成在该第一与第二绝缘膜之上的半导体膜,其中,在该第一绝缘膜中的氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变。5.一种半导体装置,具有薄膜电晶体,该半导体装置包括:第一绝缘膜,包含形成在基板上之氧氮化矽膜;与该第一绝缘膜接触形成的第二绝缘膜;还有形成在该第一与第二绝缘膜之上的半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中的氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变。6.一种半导体装置,具有薄膜电晶体,该半导体装置包括:形成在基板上的氧氮化矽膜;与该氧氮化矽膜接触形成的氧化矽膜;及形成在该氧化矽膜上的半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中的氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变。7.一种半导体装置,具有薄膜电晶体,该半导体装置包括:形成在基板上的氧氮化矽膜;与该氧氮化矽膜接触形成的氧化矽膜;还有形成在该氧化矽膜上的半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中的氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变。8.如申请专利范围第1.3.4或6项所述之项半导体装置,其中,在该氧氮化矽膜中的该氮浓度与矽浓度之比値,朝该半导体膜侧的界面持续减少。9.如申请专利范围第2.3.5或7项所述之半导体装置,其中,在该氧氮化矽膜中的该氧浓度与矽浓度之比値,朝该半导体膜侧的界面持续增加。10.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之半导体装置,其中,该半导体装置为一包含有主体、摄影机部、一影像接收部分及一显示部分之摄影机。11.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,藉由持续改变气体流量速率,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变。12.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,藉由持续改变气体流量速率,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变。13.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,藉由持续改变气体比値,在该氧氮化矽膜中氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变。14.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,藉由持续改变气体比値,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变。15.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;还有在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,藉由持续改变RF输出,在该氧氮化矽膜中氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变。16.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,藉由持续改变RF输出,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变。17.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变,并且,其中,该氧氮化矽膜与该半导体膜在同一室中连续形成。18.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成一氧氮化矽膜于基板上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变,并且,其中该氧氮化矽膜与该半导体膜在同一室中连续形成。19.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成在基板上的绝缘膜;形成一氧氮化矽膜于该绝缘膜上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变,并且,其中该氧氮化矽膜与该半导体膜在同一室中连续形成。20.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成在基板上的绝缘膜;形成一氧氮化矽膜于该绝缘膜上;及在该氧氮化矽膜上形成一半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变,并且,其中该氧氮化矽膜与该半导体膜在同一室中连续形成。21.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成在基板上的氧氮化矽膜;形成一绝缘膜于该氧氮化矽膜上;及在该绝缘膜上形成一半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变,并且,其中该氧氮化矽膜、该绝缘膜与该半导体膜在同一室中连续形成。22.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成在基板上的氧氮化矽膜;形成一绝缘膜于该氧氮化矽膜上;及与该绝缘膜上接触形成一半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变,并且,其中该氧氮化矽膜、该绝缘膜与该半导体膜在同一室中连续形成。23.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成在基板上的第一绝缘膜;形成一氧氮化矽膜于该第一绝缘膜上;及在该氧氮化矽膜上形成第二绝缘膜,其中,在该氧氮化矽膜中氮浓度与矽浓度之比値在0.3至1.6的范围内做持续改变,并且,其中该氧氮化矽膜与该第二绝缘膜在同一室中连续形成。24.一种制作半导体装置之方法,包含步骤:形成在基板上的第一绝缘膜;形成一氧氮化矽膜于该第一绝缘膜上;在该氧氮化矽膜上形成第二绝缘膜;及在该第二绝缘膜上形成一半导体膜,其中,在该氧氮化矽膜中氧浓度与矽浓度之比値在0.1至1.7的范围内做持续改变,并且,其中该氧氮化矽膜、该第二绝缘膜与该半导体膜在同一室中连续形成。25.如申请专利范围第11,13,15,17,19,21或23项所述之制作半导体装置之方法,其中,在该氧氮化矽膜中的该氮浓度与矽浓度之比値,朝该半导体膜侧的界面持续减少。26.如申请专利范围第12,14,16,18,20,22或24项所述之制作半导体装置之方法,其中,在该氧氮化矽膜中的该氧浓度与矽浓度之比値,朝该半导体膜侧的界面持续增加。27.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之半导体装置,其中,该半导体装置为一包含一主体、一显示部分、一接目镜部分及一影像接收部分的数位相机。28.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之半导体装置,其中,该半导体装置为一包含一主体及一投影系统之投影机。29.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之半导体装置,其中,该半导体装置为一包含一主体及一显示部分的护目镜式显示器。30.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之半导体装置,其中,该半导体装置为一包含一主体、一影像输入部分、一显示部分及键盘的个人电脑。31.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之半导体装置,其中,该半导体装置为一包含一主体、一音讯输出部分、一音讯输入部分及一显示部分的行动电话。32.如申请专利范围第1至7项中任一项所述之半导体装置,其中,该半导体装置为一包含一主体及至少一显示部分的携带书。图式简单说明:图1是根据本发明实施例1制程的显示图。图2是根据本发明实施例2制程的显示图。图3是根据本发明实施例3制程的显示图。图4是根据本发明实施例4制程的显示图。图5是根据本发明实施例5制程的显示图。图6A至6C是根据本发明实施例6之AM-LCD制程的显示图。图7A至7C是根据本发明实施例6之AM-LCD制程的显示图。图8是根据本发明实施例6之AM-LCD制程的显示图。图9A至9B是根据本发明实施例6之AM-LCD制程的显示图。图10是根据本发明实施例6所显示的主动矩阵液晶显示装置之剖面结构图。图11显示本发明实施例6中AM-LCD之外观。图12是根据本发明实施例6之像素部分俯视图的部分显示图。图13A至13B是根据本发明实施例7之AM-LCD制程的显示图。图14A至14B是根据本发明实施例7之AM-LCD制程的显示图。图15A至15B是根据本发明实施例8之AM-LCD制程的显示图。图16A至16F显示本发明实施例9之电子设备例之视图。图17A至17D显示本发明实施例9之电子设备例之视图。图18A至18C显示本发明实施例9之电子设备例之视图,且图19是根据本发明实施例1制造装置例的显示图。 |
