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Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Herstellung mindestens einer Vertiefung (10) als Mikrostruktur, insbesondere eines Deep-Trenches in einem Halbleitermaterial (2), insbesondere bei der Herstellung von DRAMs. Dabei wird erfindungsgemäß der Bereich mindestens einer Vertiefung (10) in dem Halbleitermaterial (2) während eines Ätzschrittes mindestens zeitweise und/oder lokal erwärmt. Damit ist es möglich, Vertiefungen in Halbleitermaterialien, insbesonderee mit großem Aspektverhältnis, effizient herzustellen.
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