垂直沟道场效应晶体管及制备方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，避免了多晶硅刻蚀过程中因硅台高度高而可能出现的断裂，降低了工艺难度。并且采用多晶硅作源端，可以很容易和双极器件集成，为实现BiCMOS提供了一个很好的途径。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。

主权项

1、一种垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。