| 发明名称 | 快擦写存储单元浮置栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种快擦写存储单元浮置栅极的制造方法，是使存储单元(Cell)的平坦化效果得以达成，其基本概念在于利用溅射蚀刻或干蚀刻等技术，来蚀刻多晶硅栅极和高密度等离子体氧化层，以定义浮置栅极。在本发明制造方法中，并不形成氮化硅，因而可以简化工艺，并避免氮化硅所可能带来的不利影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1399309A | 申请公布日期 | 2003.02.26 |
| 申请号 | CN01123712.0 | 申请日期 | 2001.07.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 邱宏裕;苏俊联;吕文彬 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/82 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种快擦写存储单元浮置栅极的制造方法，包括下列步骤：在一基底上形成一第一多晶硅图案；在该基底上沉积高密度等离子体氧化层覆盖该第一多晶硅图案，其中该高密度等离子体氧化层在该第一多晶硅图案上形成有三角块；进行一溅射蚀刻步骤，以移除该三角块，并部分移除该高密度等离子体氧化层，使其高度低于该第一多晶硅图案，同时使该第一多晶硅图案顶部圆弧化；以及在该基底上形成一第二多晶硅图案覆盖该第一多晶硅图案，其中该第二多晶硅图案宽于该第一多晶硅图案。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||