| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供一种包括了熔丝、合格率优异的半导体器件。包括含有多个通过激光照射被熔断的熔丝20的熔丝部110。按照规定的间距排列熔丝20。在相邻的熔丝20之间埋入第一绝缘层33。在第一绝缘层33上形成第二绝缘层39。熔丝20的上表面、以及第一绝缘层33和第二绝缘层39的界面42形成为大致呈同一水平面。因此，熔丝熔断时，使在界面42上产生裂痕，能可靠地将熔丝熔断。 | ||
| 申请公布号 | CN1399328A | 申请公布日期 | 2003.02.26 |
| 申请号 | CN02126950.5 | 申请日期 | 2002.07.24 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 森克己 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/70 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它包括按照规定的间距排列的多个熔丝、是通过激光照射被熔断的熔丝；被埋入相邻的上述熔丝之间的第一绝缘层；以及在上述第一绝缘层上形成的第二绝缘层，该半导体器件的特征在于：上述熔丝的上表面、以及上述第一绝缘层和上述第二绝缘层的界面大致处于同一水平面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||