发明名称 一种由随机存取记忆胞所制之电脑
摘要 一种电脑系统,其特征为包括:一处理器用于接收命令与资料,用于根据一或多个程式而运作,并且用于根据该等程式,资料与命令以产生输出信号一或多个连接至处理器之记忆体,用于储存资料与程式,其中该等记忆体的至少之一包括一随机存取记忆DRAM胞阵列,其中在该阵列中之随机存取记忆胞包括:●沟渠式电容器,该沟渠式电容器形成于矽基板之主表面之下;●电晶体,包括闸极,源极,汲极区,其中该电晶体之该汲极区电性连接至该沟渠式电容器;以及●突起之浅沟渠隔离(RSTI),该突起之浅沟渠隔离具有顶表面是在矽基板之主要表面之上,其中此项表突起的突起量足以阻止台地(divot)随后延伸形成于基板表面之下。
申请公布号 TW521399 申请公布日期 2003.02.21
申请号 TW091101864 申请日期 1998.09.16
申请人 西门斯股份有限公司 发明人 乔汉亚尔史密尔
分类号 H01L21/8242 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种电脑系统,其特征为包括:一处理器用于接收命令与资料,用于根据一或多个程式而运作,并且用于根据该等程式,资料与命令以产生输出信号:一或多个连接至处理器之记忆体,用于储存资料与程式,其中该等记忆体的至少之一包括一随机存取记忆DRAM胞阵列,其中在该阵列中之随机存取记忆胞包括:●沟渠式电容器,该沟渠式电容器形成于矽基板之主表面之下;●电晶体,包括闸极,源极,汲极区,其中该电晶体之该汲极区电性连接至该沟渠式电容器;以及●突起之浅沟渠隔离(RSTI),该突起之浅沟渠隔离具有顶表面是在矽基板之主要表面之上,其中此顶表突起的突起量足以阻止台地(divot)随后延伸形成于基板表面之下。图式简单说明:第1图显示传统之DRAM胞;第2a-2g图显示第1图之传统DRAM胞之制造流程;第3图显示本发明之DRAM胞;及第4a-4f图显示出第3图之传统DRAM胞之制造流程;第5图显示根据本发明使用DRAM IC之电脑系统。
地址 德国