| 主权项 |
1.一种半导体封装件,系包含:一晶片承载件,其上形成有一内设开槽之封装胶墙,于该封装胶墙顶部则设置一凹部及至少一斜面部,且使该斜面部自外向内逐渐倾斜而延伸至该凹部;至少一半导体晶片,系收纳于该开槽内而接置于该晶片承载件上并与之形成电性藕接关系;以及一盖件,系藉一胶剂将该盖件黏接至该封装胶墙之顶部上,以由该盖件将封装胶墙之开槽气密封闭而使该半导体晶片与外界气密隔离。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该半导体封装件系为一光感式半导体封装件。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该斜面部与该封装胶墙顶面间形成一介于0至5度之倾斜角。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凹部系为一弧形槽道。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凹部系为一V形槽道。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凹部系为一方形槽道。7.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该凹部系为一槽底具有至少一个凸起部之槽道。8.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该盖件系具有至少一得与该凹部嵌合之定位部。9.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该胶剂系为一热熔性胶剂。10.一种半导体封装件,系包含:一晶片承载件,其上形成有一具开槽之封装胶墙,其中,该封装胶墙顶部系由一居于外侧之凸出部及一斜面部所构成,且由该凸出部与该斜面部共同形成一小于90度之夹槽空间;至少一半导体晶片,系收纳于该开槽内而接置在该晶片承载件上,并与该晶片承载件形成电性藕接关系;以及一盖件,系藉一胶剂黏设至该胶墙顶部上,以由该盖件将封装胶墙之开槽气密封闭而使该半导体晶片与外界气密隔离。11.如申请专利范围第10项之半导体封装件,其中,该半导体封装件系为光感式半导体封装件。12.如申请专利范围第10项之半导体封装件,其中,该凸出部系为胶堤(Dam)。13.如申请专利范围第10项之半导体封装件,其中,该凸出部顶面系高出该斜面部一高度差。14.如申请专利范围第13项之半导体封装件,其中,该高度差系大于该盖件之厚度。15.如申请专利范围第10项之半导体封装件,其中,该斜面部系与靠近晶片之该封装胶墙顶面间形成一介于0至5度之倾斜角。16.如申请专利范围第10项之半导体封装件,其中,该胶剂系为一热熔性胶剂。图式简单说明:第1图系习知光感式半导体封装件中盖件与胶墙顶部黏接之剖面示意图;第2图系本发明第一实施例之光感式半导体封装件之剖面示意图;第3A至3C图系本发明光感式半导体封装件之整体制作流程示意图;第4图系本发明半导体封装件中盖件与封装胶墙接合部位之立体放大图;第5图系本发明半导体封装件中盖件与封装胶墙接合部位之剖面示意图;第6图系本发明半导体封装件中胶墙槽道另一实施例之剖面示意图;第7图系本发明半导体封装件中盖件与封装胶墙接合部位之第二实施例之盖片制程动作示意图;以及第8图系本发明半导体封装件中盖件与封装胶墙接合部位之第三实施例之剖面示意图。 |
