半导体元件搭载用中继基板之制造方法

摘要

【课题】藉由本发明，则不须使用模具来在中继基板上进行机械性的钻孔，用蚀刻即可使各主机板连接电极互相成电气性地独立，且能尽量缩短电镀引脚。【解决手段】半导体件搭载用中继基板，是(A)在绝缘性基材薄片1上形成包含主机连接电极2和电镀引脚3的导体电路4，(B)在导体电路4上形成图案用树脂5，(C)为了露出主机板连接电极2和电镀引脚3，对图案用树脂5进行蚀刻，(D)用耐电解电镀层6被覆电镀引脚3，(E)在露出的主机连接电极2上积层电解电镀金属层7，(F)除去电解电镀抗蚀层6，(G)用蚀刻除去露出的电镀引脚3，又当(H)图案用树脂5是聚醯亚胺时，将该聚醯亚胺完全醯亚胺化，藉此以进行制造。

主权项

1.一种半导体元件搭载用中继基板之制造方法,是为了将半导体元件组装在主机板所使用之半导体元件搭载用中继基板之制造方法,其特征在于,是由以下的制程(A)-(G)所构成:(A)在绝缘性基材薄片上形成导体电路的制程;导体电路包含:用来连接主机板的主机板连接电极,和为对该主机板连接电极施加电解电镀处理、而与该主机板连接电极形成导通的电镀引脚;(B)在该导体电路上形成图案用树脂层的制程;(C)以使该导体电路的主机板连接电极和电镀引脚露出的方式来蚀刻该图案用树脂层的制程;(D)用耐电解电镀层被覆露出的电镀引脚之制程;(E)对露出的主机板连接电极进行电解电镀处理,以将电解电镀金属层积层在主机板连接电极的制程;(F)除去被覆于电镀引脚的耐电解电镀层,再度使电镀引脚露出的制程;以及(G)利用蚀刻来除去露出的电镀引脚的制程。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中之图案用树脂层系聚醯亚胺前驱物层。3.如申请专利范围第2项之制造方法,其中,在制程(C)和(D)之间、或制程(G)之后进一步包含制程(H):将聚醯亚胺前驱物层完全聚醯亚胺化。4.一种半导体元件搭载用中继基板之制造方法,是为了将半导体元件组装在主机板所使用之半导体元件搭载用中继基板之制造方法,其特征在于,是由以下的制程(a)-(f)所构成:(a)在绝缘性基材薄片上形成导体电路的制程;该导体电路包含:用来连接主机板的主机板连接电极,和为对该主机板连接电极施加电解电镀处理、而与该主机板连接电极形成导通的电镀引脚;(b)在该导体电路上形成图案用树脂层的制程;(c)以使该导体电路的主机板连接电极露出的方式来蚀刻该图案用树脂层的制程;(d)对露出的主机板连接电极进行电解电镀处理,以将电解电镀金属层积层在主机板连接电极的制程;(e)以使该导体电路的电镀引脚露出的方式来蚀刻该图案用树脂层的制程;以及(f)利用蚀刻来除去露出的电镀引脚的制程。5.如申请专利范围第4项之制造方法,其中之图案用树脂层系聚醯亚胺前驱物层。6.如申请专利范围第5项之制造方法,其中,在制程(f)后进一步包含制程(g):将聚醯亚胺前驱物层完全聚醯亚胺化。7.如申请专利范围第6项之制造方法,其中,在制程(c)和(d)之间、或制程(d)和制程(e)之间进一步包含制程(h):将聚醯亚胺前驱物层不完全聚醯亚胺化。图式简单说明:图1A~图1H系本发明的半导体元件搭载用中继基板的制造制程图。图2A~图2G系本发明的半导体元件搭载用中继基板的制造制程图。图3A~图3D系先前的半导体元件搭载用中继基板的制造制程图。