发明名称 | 低介电常数绝缘膜用组合物、绝缘膜形成方法及电子零件 | ||
摘要 | 一种用于形成绝缘膜的组合物,其包括被溶于溶剂中的一种低介电常数聚合材料及一种升华材料。优选低介电常数聚合材料包括聚芳醚。优选升华材料包括硅氧烷化合物,该化合物具有封闭立体结构,其角顶具有原子,诸如被称为Si-T8及Si-T12的那些。也公开了一种形成低介电常数绝缘膜的方法和利用由此形成的绝缘膜的电子零件或部件。 | ||
申请公布号 | CN1397595A | 申请公布日期 | 2003.02.19 |
申请号 | CN02141093.3 | 申请日期 | 2002.07.16 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 福山俊一;大和田保;井上裕子 |
分类号 | C08L71/12;C08K5/5415;H01B3/42;H05K1/03;B32B27/00 | 主分类号 | C08L71/12 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 邓毅 |
主权项 | 1、一种用于形成绝缘膜的组合物,包括被溶于溶剂中的低介电常数聚合材料及升华材料。 | ||
地址 | 日本神奈川 |