Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, bei denen Fremdstoffe mit dotierenden Eigenschaften in einen Halbleiterkörper einlegiert werden,申请号CH19590068258-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, bei denen Fremdstoffe mit dotierenden Eigenschaften in einen Halbleiterkörper einlegiert werden
摘要
申请公布号	CH373107(A)	申请公布日期	1963.11.15
申请号	CH19590068258	申请日期	1959.01.13
申请人	SIEMENS & HALSKE AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	ENDERLEIN,DIETER;HENKER,HEINZ,DR.
分类号	H01L21/00;H01L23/04	主分类号	H01L21/00
代理机构		代理人
主权项
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