Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur sowie zugehöriges Herstellungsverfahren

摘要

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur sowie dazugehörige Herstellungsverfahren, wobei Orte (DB2) mit maximaler lokaler Feldstärke (E¶max¶) in einem Kompensationsrandbereich (RB) einer Ladungskompensationsstruktur liegen. Auf diese Weise kann ein elektrischer Parameter z. B. der Einschaltwiderstand des Kompensationsbauelementes maßgeblich verbessert werden ohne die weiteren Parameter z. B. Durchbruchspannung und Robustheit gegenüber TRAPATT-Schwingungen zu beeinflussen oder zu verschlechtern.