| 摘要 |
<p>Zur Herstellung von asphärischen Linsen auf einem Halbleitermaterial wird vorgeschlagen, die Struktur einer Photolackkalotte auf das darunter liegende Halbleitersubstrat mit Hilfe eines reaktiven Ion-Ätzverfahrens zu übertragen. Dabei wird eine Gaskomponente verwendet, die den Photolack ätzt, und eine weitere Gaskomponente, die das darunter liegende Halbleitersubstrat ätzt. Das Verhältnis der Gasflüsse wird während des Ätzvorgangs variiert. Das Ergebnis ist eine asphärische Linse, deren gemessenes Querschnittsprofil (12) von einer Idealkurve (13) nur geringe Fehler (14) aufweist.</p> |
